明佳达电子现有 CY7C1021DV33-10VXI 静态随机存取存储器（SRAM）现货供应，该芯片是高性能的静态存储解决方案，采用先进工艺制造，具备出色的稳定性和可靠性。描述：CY7C1021DV33-10VXICY7C1021DV33-10VXI是高速1Mbit (128K8位)静态随机存取存储器(SRAM)，采用先进的CMOS…
明佳达电子现有 CY7C1021DV33-10VXI 静态随机存取存储器（SRAM）现货供应，该芯片是高性能的静态存储解决方案，采用先进工艺制造，具备出色的稳定性和可靠性。
CY7C1021DV33-10VXI是高速1Mbit (128K×8位)静态随机存取存储器(SRAM)，采用先进的CMOS工艺制造，具有10ns高速访问时间，工作电压3.3V，是工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用的理想选择。
逻辑框图：CY7C1021DV33-10VXI
高容量与快速读写 ：提供大容量存储空间，读写速度快，可满足高速数据存储和读取需求。
低功耗设计 ：采用低功耗技术，适合对功耗要求严格的设备，延长电池续航时间。
稳定可靠 ：具备高抗干扰性和数据保持能力，即使在恶劣环境下也能确保数据的完整性。
易于集成 ：接口简单，与各类处理器和控制器兼容良好，便于在各种系统中集成应用。
内存类型 ：静态随机存取存储器（SRAM）
内存容量 ：128Kb
接口 ：16 位
速度 ：10ns
电源电压 ：3.3V
工作温度 ：- 40°C 至 85°C
封装 ：TSSOP
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