英飞凌的 IPB200N25N3G 是一款高性能的 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™3 系列，适用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用。IPB200N25N3G 关键特性低导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>）V<sub>GS</sub> = 10V 时，R<sub>DS(on)<…
英飞凌的 IPB200N25N3G 是一款高性能的 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™3 系列，适用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用。
IPB200N25N3G 关键特性
低导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>）
V<sub>GS</sub> = 10V 时，R<sub>DS(on)</sub> = 20mΩ（典型值），减少导通损耗。
V<sub>GS</sub> = 4.5V 时，R<sub>DS(on)</sub> = 28mΩ（典型值），适合低电压驱动。
高电流能力
连续漏极电流（I<sub>D</sub>）：200A（@25°C）
脉冲电流（I<sub>DM</sub>）：800A
高耐压
V<sub>DSS</sub> = 25V，适用于 12V/24V 电源系统（如汽车、工业电源）。
快速开关性能
低栅极电荷（Q<sub>g</sub> = 110nC），提高开关频率，降低开关损耗。
优化的热性能
TO-263-7（D²PAK）封装，增强散热能力。
工作温度范围：-55°C 至 +175°C。
IPB200N25N3G 典型应用
汽车电子
12V/24V 系统（如 ECU、LED驱动、电机控制）。
启停系统、电池管理系统（BMS）。
工业电源
DC-DC转换器、同步整流、伺服驱动。
消费电子
大电流开关电源、UPS、电动工具。
明佳达电子供应优势
原厂授权，品质保障 ：明佳达所提供的 IPB200N25N3G 均为原厂原装产品，确保了产品的质量和性能符合英飞凌的高标准。
专业技术支持团队 ：公司拥有一支经验丰富的专业技术团队，能够为客户提供全方位的技术支持服务，包括产品选型、应用咨询、安装指导等，帮助客户解决技术难题，确保产品在实际应用中的最佳性能。
严格的质量检测流程 ：明佳达电子对产品质量有着严格的要求，建立了完善的质量检测体系。每一批次的 IPB200N25N3G 在入库和出库前都经过严格的质量检测，确保产品的性能和质量稳定可靠。
充足的库存与及时交货 ：明佳达电子库存资源丰富，能够满足客户的批量采购需求。凭借良好的供应链管理和库存控制能力，公司能够确保及时供货，避免因缺货而导致客户生产进度延误。
总结
IPB200N25N3G 是英飞凌 OptiMOS™3 系列的高性能功率MOSFET，具有低导通电阻、高电流能力、快速开关特性，适用于 汽车、工业、消费类电源等高效率应用。
如需了解更多关于IPB200N25N3G的信息或技术支持，请联系明佳达电子销售与技术支持团队。
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