2025年5月21日，据外媒报道，全球半导体制造商Nexperia宣布推出一系列高效、坚固耐用的汽车级碳化硅（SiC）MOSFET，其导通电阻（RDS(on)）分别为30 mΩ、40 mΩ和60 mΩ。这些器件（NSF030120D7A0-Q、NSF040120D7A1-Q和NSF060120D7A0-Q）提供业界领先的性能系数（FoM），…
2025年5月21日，据外媒报道，全球半导体制造商Nexperia宣布推出一系列高效、坚固耐用的汽车级碳化硅（SiC）MOSFET，其导通电阻（RDS(on)）分别为30 mΩ、40 mΩ和60 mΩ。这些器件（NSF030120D7A0-Q、NSF040120D7A1-Q和NSF060120D7A0-Q）提供业界领先的性能系数（FoM），此前以工业级规格供应，现已获得AEC-Q101认证。这使得它们非常适合汽车应用，例如电动汽车（EV）中的车载充电器（OBC）和牵引逆变器，以及直流-直流转换器、暖通空调系统（HVAC)。这些开关采用日益流行的表面贴装D2PAK-7封装，与通孔器件相比，这种封装更适合自动化装配操作。
RDS(on）是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导损耗。然而，仅仅关注标称值会忽略一个事实：随着器件工作温度的升高，RDS(on）可能会增加100%以上，从而导致传导损耗大幅上升。与通孔技术相比，采用SMD封装技术时，由于器件通过PCB进行冷却，温度稳定性更加重要。Nexperia认为这是限制许多现有SiC器件性能的一个因素，并利用其创新工艺技术的特性，确保其新型SiC MOSFET提供业界领先的温度稳定性，在25°C至175°C的工作温度范围内，RDS(on）的标称值仅增加38%。这一特性使客户能够在应用中实现更高的输出功率，而Nexperia比其他供应商的25°C额定RDS(on）更高，且性能丝毫不受影响。
“与其他供应商类似额定RDS(on）的器件相比，此功能可使所选的Nexperia SiC MOSFET器件获得更高的功率，从而在半导体层面为客户带来明显的成本优势。此外，更宽松的冷却要求、更紧凑的无源元件以及更高的可实现效率，使客户在设计上拥有更大的自由度，并降低总体拥有成本。我们尤其高兴这些产品现已面向汽车市场推出，其性能和效率优势将为下一代汽车设计带来真正的改变。”高级副总裁兼宽带隙、IGBT和模块（WIM）业务部负责人Edoardo Merli表示。
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