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英飞凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H TO-247-4封装的1200V CoolSiC

英飞凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H TO-247-4封装的1200V CoolSiC

来源:本站时间:2022-08-22浏览数:

深圳明佳达电子公司全新原装出售英飞凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H、IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4封装的1200V CoolSiC,联系qq:1668527835,电话:13410018555,邮箱:chen13410018555@163.com,公司首页:www.hkmjd.com

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供应型号:IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1

批号:21+

描述:通孔 N 通道 1200 V 19A(Tc) 94W(Tc) PG-TO247-4-1


规格

系列 CoolSiC™  

包装 管件  

FET 类型 N 通道  

技术 SiCFET(碳化硅)  

漏源电压(Vdss) 1200 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V,18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 182 毫欧 @ 6A,18V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.7V @ 2.5mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 13 nC @ 18 V  

Vgs(最大值) +23V,-7V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 454 pF @ 800 V  

FET 功能 -  

功率耗散(最大值) 94W(Tc)  

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 PG-TO247-4-1  

封装/外壳 TO-247-4 


特征描述

一流的开关和导通损耗

基准高阈值电压,Vth > 4 V

0V关断栅极电压,简单轻松地进行栅极驱动

栅源电压范围宽

损耗低且牢固的体二极管,可用于硬换向

开关关断损耗不受温度影响

驱动源引脚,优化开关性能


应用领域

不间断电源(UPS)

电动汽车快速充电

太阳能系统解决方案


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