深圳明佳达公司供应全新原装电源管理(LMG3425R030RQZR) LMG3425R050RQZR 600V GaN IC，LMG3425R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET，LMG3425R050 具有集成驱动器、保护、温度报告和理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET。
深圳明佳达公司供应全新原装电源管理(LMG3425R030RQZR) LMG3425R050RQZR 600V GaN IC
产品型号：LMG3425R030RQZR/LMG3425R050RQZR
品牌：TI
年份：最新21+
封装：VQFN54
LMG3425R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能以及理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET
LMG3425R050 具有集成驱动器、保护、温度报告和理想二极管模式的 600V 50mΩ GaN FET
产品特性
符合面向硬开关拓扑的 JEDEC JEP180 标准
带集成栅极驱动器的 600-V GaN-on-Si FET
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns CMTI
2.2MHz 开关频率
30 V/ns 至 150 V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
在 7.5V 至 18V 电源下工作
强大的保护
响应时间少于 100 ns 的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受 720V 浪涌
针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
高级电源管理
数字温度 PWM 输出
理想二极管模式可减少 LMG3425R030 中的第三象限损耗
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