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深圳市明佳达电子有限公司 供应 英飞凌 BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 N沟道功率MOSFET晶体管

深圳市明佳达电子有限公司作为电子元器件行业的领先供应商，长期现货供应英飞凌高性能BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 N沟道功率MOSFET晶体管。

【产品概述与核心特性】

BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ MOSFET 晶体管是性能领先的基准技术，非常适合用于 48V 系统的同步整流、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）以及直流电机驱动器的逆变器。

核心电气参数方面，BSC500N20NS3G具有200V的漏源击穿电压(Vdss)和24A的连续漏极电流(Id)能力，在功率MOSFET中属于中高电压等级产品。其导通电阻(RDS(on))仅为42mΩ(典型值)，这一低导通特性使其在传导损耗方面表现优异。器件支持±20V的栅源电压(Vgs)，栅极阈值电压(Vgs(th))为2V，适合多种驱动电路设计。开关性能上，该MOSFET具有20nC的栅极电荷(Qg)和极低的栅漏电荷(Qgd)，结合仅7ns的下降时间和5ns的上升时间，确保了高效的开关性能。

从热性能角度看，BSC500N20NS3G的功率耗散(Pd)可达96W，工作温度范围宽广(-55°C至+150°C)，适合各种环境条件下的应用。其采用的TDSON-8封装(也称为PG-TDSON-8)尺寸紧凑(5.9mm×5.15mm×1.27mm)，不仅节省PCB空间，还优化了散热性能。这种封装形式支持表面贴装(SMD/SMT)，便于自动化生产，同时提供Cut Tape、MouseReel和Reel等多种包装选项，满足不同规模的生产需求。

英飞凌OptiMOS™ 3技术的核心优势在BSC500N20NS3G上得到充分体现：

业界领先的RDS(on)：通过优化沟槽栅结构，实现极低的导通电阻

最低Qg和Qgd：减少驱动损耗，提高开关频率潜力

全球最优的FOM(优值系数)：综合考量导通损耗和开关损耗的性能指标

符合RoHS标准且无卤素：满足环保要求，MSL 1级湿度敏感等级

【规格】

晶体管极性：N沟道

沟道数：1沟道

Vds - 漏源击穿电压：200 V

Id - 持续漏极电流：24 A

Rds On - 漏源电阻：42 mΩ

Vgs - 栅源电压：-20 V，+20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：2 V

Qg - 栅极电荷：20 nC

最低工作温度：-55°C

最高工作温度：+150°C

Pd - 功率耗散：96 W

通道模式：增强型

配置：单通道

下降时间：7 ns

正向跨导 - 最小值：19 S

高度：1.27 mm

长度：5.9 mm

产品类型：MOSFET

上升时间：5 ns

典型关断延迟时间：28 ns

典型导通延迟时间：14 ns

宽度：5.15 mm

单位重量：120.300 mg

【技术优势与性能分析】

低导通电阻与高效率是BSC500N20NS3G最突出的技术特点。该器件在25°C环境温度下的典型RDS(on)仅为42mΩ，这一数值在200V电压等级的MOSFET中处于领先水平。低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，特别是在高电流应用中效果显著。例如，在24A额定电流下，传导损耗仅为P=I²×R=24²×0.042≈24.2W，比同类竞争产品降低15-20%。这种高效率特性使得BSC500N20NS3G特别适合连续工作模式的应用场景，如电机驱动和电源转换系统。

开关性能方面，BSC500N20NS3G展现出卓越的动态特性。其总栅极电荷(Qg)为20nC，栅漏电荷(Qgd)极低，这使得器件能够实现快速开关过渡——上升时间仅5ns，下降时间7ns。如此快速的开关速度显著降低了开关损耗，尤其在高频应用中优势明显。典型开关延迟时间方面，导通延迟(td(on))为14ns，关断延迟(td(off))为28ns，这些参数共同确保了器件在高达数百kHz的开关频率下仍能保持高效工作。对于设计同步整流或高频DC-DC转换器的工程师，这些特性意味着可以使用更小的磁性元件和滤波电容，从而降低系统体积和成本。

热管理能力是BSC500N20NS3G的另一项关键优势。器件采用优化的TDSON-8封装，具有出色的热传导路径。封装底部的大面积漏极焊盘可直接焊接至PCB，利用电路板铜层作为散热器，实现高效的热量散发。在实际应用中，这种封装设计使得结到环境的热阻(RθJA)显著降低，允许器件在更高环境温度下工作或承载更大电流。结合-55°C至+150°C的宽广工作温度范围，BSC500N20NS3G非常适合严苛环境应用，如工业自动化设备和汽车电子系统。

【典型应用场景】

BSC500N20NS3G凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多电力电子领域找到了广泛应用。从工业电源到汽车系统，从通信设备到消费电子产品，这款200V OptiMOS™ 3功率MOSFET都能提供高效的解决方案。

同步整流应用是BSC500N20NS3G的主要用武之地。在现代开关电源(SMPS)中，特别是AC-DC电源适配器和服务器电源，同步整流技术已取代传统的肖特基二极管整流，显著提高效率。BSC500N20NS3G的低导通电阻(42mΩ)和快速体二极管特性使其成为次级侧同步整流的理想选择。在实际设计中，该MOSFET可与控制IC如UCC24612配合使用，在12V/20A输出的电源中实现超过92%的整机效率，比二极管整流方案提升3-5个百分点。对于高密度电源设计，多个BSC500N20NS3G器件可并联使用，以满足大电流需求，同时保持低温升。

48V-110V系统的电机控制是另一重要应用领域。随着工业自动化的发展，48V BLDC电机在机器人、AGV和电动工具中的应用日益广泛。BSC500N20NS3G的200V耐压为48V系统提供了充足的电压裕量，其快速开关特性支持高PWM频率(通常50-100kHz)，从而实现更平滑的电机控制和更低的转矩脉动。在一个典型的3相无刷电机驱动器中，六个BSC500N20NS3G组成全桥逆变器，配合栅极驱动器如IR2106S，可驱动高达2kW的电机负载。该MOSFET的低Qg特性还允许使用简单的自举电路供电，简化了隔离电源设计。

在隔离式DC-DC转换器领域，BSC500N20NS3G表现出色。这类转换器广泛用于电信设备、工业控制系统和医疗设备中，提供输入输出间的电气隔离。在LLC谐振转换器拓扑中，BSC500N20NS3G的快速体二极管和低输出电容(Coss)特性显著降低了开关损耗，使转换器能够在200-400kHz的高频下工作，大幅减小变压器和滤波元件的体积。对于100-300W的中功率隔离DC-DC模块，使用该MOSFET可实现超过94%的峰值效率，满足80Plus钛金标准的要求。

不间断电源(UPS)系统也从BSC500N20NS3G的高性能中获益。在线式UPS的逆变器级需要高效可靠的功率开关，以确保电网断电时向关键负载提供纯净的交流电源。BSC500N20NS3G用于1-3kVA UPS的逆变桥臂，其200V耐压足够应对170Vpk的交流输出，而低导通电阻则减少了电池放电时的能量损失，延长备用时间。与传统的IGBT方案相比，采用BSC500N20NS3G的UPS逆变器可提高2-3%的效率，同时降低散热需求。

其他应用包括：

HID灯电子镇流器：利用快速开关特性实现高频率驱动，消除可见闪烁

D类音频放大器：支持高PWM频率，降低THD，提高音质

LED照明电源：用于恒流驱动电路，提高能效和可靠性

电动自行车控制器：48V系统中提供高效功率转换，延长电池续航