深圳市明佳达电子有限公司 供应 英飞凌 IDW20G120C5B 1200V 20A 碳化硅肖特基二极管深圳市明佳达电子有限公司作为全球领先的电子元器件供应商，长期现货供应英飞凌 IDW20G120C5B——一款1200V/20A第五代CoolSiC™碳化硅肖特基二极管。IDW20G120C5B产品概述与技术特性：ID…
深圳市明佳达电子有限公司 供应 英飞凌 IDW20G120C5B 1200V 20A 碳化硅肖特基二极管
深圳市明佳达电子有限公司作为全球领先的电子元器件供应商，长期现货供应英飞凌 IDW20G120C5B——一款1200V/20A第五代CoolSiC™碳化硅肖特基二极管。
IDW20G120C5B产品概述与技术特性：
IDW20G120C5B是英飞凌CoolSiC™系列中的第五代碳化硅肖特基二极管，采用标准TO-247-3封装，专为高功率、高频率应用场景设计。作为碳化硅肖特基势垒二极管的领先技术代表，该IDW20G120C5B产品融合了英飞凌在第二代产品中引入的薄晶圆技术与创新的合并pn结技术，显著提升了二极管的浪涌电流能力和系统可靠性。
从基本参数来看，IDW20G120C5B具有1200V重复反向电压(Vrrm)和20A正向电流(If)的额定值，其正向压降(Vf)在10A电流下仅为1.4V，表现出优异的导电性能。在反向特性方面，该二极管在1200V反向电压下的漏电流(Ir)极低，典型值仅为6-12μA，确保了高效的系统运行。
这款 IDW20G120C5B 碳化硅肖特基二极管的技术亮点主要体现在以下几个方面：
无反向恢复电荷(Qrr=0)：与传统硅基二极管相比，完全消除了反向恢复损耗，特别适合高频开关应用
正向电压温度依赖性温和：在不同工作温度下保持稳定的性能表现
业内领先的浪涌电流能力(Ifsm=190A)：能够承受短时过载工况
优异的热性能：采用优化封装设计，确保高效散热
IDW20G120C5B的工作温度范围宽广，从-55°C至+175°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。这些卓越的技术特性使IDW20G120C5B成为高效率功率转换系统的理想选择。
IDW20G120C5B主要技术参数：
反向耐压（Vr）：1200V
平均整流电流（Io）：20A（连续
正向压降（Vf）：1.4V @ 10A
反向漏电流（Ir）：6μA @ 1200V
浪涌电流（Ifsm）：190A
封装：TO-247-3（通孔安装）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IDW20G120C5B关键特性：
无反向恢复电荷（Qrr=0）：减少开关损耗，提高系统效率。
低正向压降（Vf）：降低导通损耗，适用于高频开关应用。
正温度系数（Vf随温度升高略有增加）：有助于并联使用时的电流均衡。
优异的浪涌电流能力：提升系统可靠性。
低 EMI 特性：适用于对电磁干扰敏感的应用。
IDW20G120C5B产品核心优势与应用领域：
IDW20G120C5B碳化硅肖特基二极管凭借其卓越的电气性能和系统级优势，在多个高增长市场领域中展现出强大的竞争力。与传统的硅基功率二极管相比，该产品在系统效率、功率密度和可靠性方面实现了显著提升。
IDW20G120C5B核心竞争优势：
最高的系统效率：得益于碳化硅材料的优异特性和无反向恢复电荷的设计，IDW20G120C5B可大幅降低开关损耗，特别是在高频应用中。测试数据显示，使用该二极管的系统整体效率可提升1-3个百分点，对于大功率应用意味着可观的能源节约
提升功率密度：由于开关损耗降低和热性能优化，系统可以采用更高开关频率设计，从而减小无源元件(如电感、变压器)的体积和重量，实现更高的功率密度。这一特性对于空间受限的应用(如电动汽车)尤为重要
增强系统可靠性：碳化硅材料本身具有更高的工作温度能力和更好的热导率，结合英飞凌优化的封装技术，使IDW20G120C5B在长期运行中表现出更稳定的性能，延长了整个系统的使用寿命
降低电磁干扰(EMI)：无反向恢复特性减少了开关过程中的电压和电流振荡，从而降低了高频噪声辐射，简化了EMI滤波设计
IDW20G120C5B典型应用领域：
光伏逆变器系统：特别适用于组串式逆变器中的升压和逆变电路，可显著提高转换效率并降低系统成本
电动汽车充电设备：包括车载充电器(OBC)和直流快充桩，碳化硅二极管的高频特性有助于减小设备体积和重量
工业电机驱动：用于变频器和伺服驱动器中的整流和续流回路，提高控制精度和能效
不间断电源(UPS)：在高性能UPS中替代传统硅二极管，降低损耗并提高功率密度
新能源发电系统：包括风力发电变流器和储能系统，碳化硅器件可应对高波动性的可再生能源输入
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