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现货供应 IPB65R110CFDA —— Infineon 650 V 汽车级 N 沟道 CoolMOS™ CFDA MOSFET

现货供应 IPB65R110CFDA —— Infineon 650 V 汽车级 N 沟道 CoolMOS™ CFDA MOSFET

来源:本站时间:2025-07-22浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司原装现货供应 IPB65R110CFDA —— Infineon 650 V 汽车级 N 沟道 CoolMOS™ CFDA MOSFET,DPAK 封装产品信息• 型号:IPB65R110CFDA • 品牌:Infineon(英飞凌)• 封装:DPAK(TO-263-3L)• 数量:2 000 pcs(21+ 批次,原装现货)• 发货地:…

深圳市明佳达电子有限公司原装现货供应 IPB65R110CFDA —— Infineon 650 V 汽车级 N 沟道 CoolMOS™ CFDA MOSFET,D²PAK 封装


产品信息

• 型号:IPB65R110CFDA 

• 品牌:Infineon(英飞凌)

• 封装:D²PAK(TO-263-3L)

• 数量:2 000 pcs(21+ 批次,原装现货)

• 发货地:深圳 / 香港两地仓库,当天发样,批量出库


产品概述

IPB65R110CFDA 是英飞凌推出的650V汽车级N沟道功率MOSFET,采用D2PAK(TO-263-3)封装,属于CoolMOS™ CFDA系列产品。该器件最大导通电阻仅110mΩ,连续漏极电流达31.2A,专为严苛的汽车电子应用设计。


产品特性

• 高性能电气参数

650V漏源电压(Vdss),31.2A连续漏极电流(Id)

低导通电阻:110mΩ @12.7A,10V

快速开关特性:上升时间11ns,下降时间6ns

低栅极电荷(Qg):118nC @10V

• 汽车级可靠性

符合AEC-Q101标准,通过汽车电子委员会认证

工作温度范围宽:-40°C至+150°C

集成快速体二极管,优化反向恢复特性

• 先进CoolMOS™技术

基于超结(SJ)原理设计,降低导通和开关损耗

自限制di/dt和dv/dt,减少电压过冲

优化EMI性能,简化系统设计

• 优异热性能

D2PAK封装提供良好散热能力

最大功率耗散277.8W(@25°C)

适合高功率密度应用


典型应用

• 车载 OBC / DC-DC:单向 & 双向 650 V 高电压母线转换

• 48 V 轻混系统:电池充电器、电机驱动器、EPS、电子刹车

• HID 照明、高压 LED 驱动、激光雷达高压电源

• 工业电源:服务器/通信整流器、太阳能优化器


明佳达电子作为专业电子元器件供应商,长期现货供应IPB65R110CFDA,保证原装正品,支持小批量样品和大批量采购。

IPB65R110CFDA.jpg

如需IPB65R110CFDA样品或采购咨询,请联系明佳达电子:

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