集成驱动器 LMG3411R070 LMG3411R070RWHR P通道 12A 32-VQFN

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集成驱动器 LMG3411R070 LMG3411R070RWHR P通道 12A 32-VQFN

来源：本站时间：2022-08-26浏览数：

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型号：LMG3411R070 LMG3411R070RWHR

年份：21+

封装：VQFN32

说明：

具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR070 GaN 功率级使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有优势包括超低输入和输出电容、零反向恢复以将开关损耗降低多达 80%，以及低开关节点振铃以降低 EMI。这些优势支持密集且高效的拓扑，例如图腾柱 PFC。

LMG341xR070 通过集成一组独特的功能来简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能，为传统的共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 提供了一种智能替代方案。集成栅极驱动可实现 100V/ns 开关，Vds 振铃接近零，<100ns 电流限制自我保护以防止意外击穿事件，过热关断防止热失控，系统接口信号提供自我监控能力。

产品属性

制造商: Texas Instruments

产品: MOSFET Gate Drivers

类型: High-Side, Low-Side

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: QFN-32

激励器数量: 1 Driver

输出端数量: 1 Output

电源电压-最小: 9.5 V

电源电压-最大: 18 V

上升时间: 15 ns

下降时间: 4.2 ns

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

系列: LMG3411R070

最大关闭延迟时间: 10 ns

最大开启延迟时间: 12 ns

湿度敏感性: Yes

工作电源电流: 43 mA

输出电压: 5 V

产品类型: Gate Drivers

传播延迟—最大值: 36 ns

Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms

子类别: PMIC - Power Management ICs

商标名: GaN

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