明佳达电子作为专业的电子元器件供应商，现货供应高性能的 MOSFET 晶体管——BSC059N04LS6。这款晶体管属于 Infineon 的 OptiMOS™ 6 系列，是一款 40V 功率 MOSFET，广泛应用于多种高效能、低热设计的系统中。BSC059N04LS6 产品描述BSC059N04LS6 是一款 N 沟道功率 MOSF…
明佳达电子作为专业的电子元器件供应商，现货供应高性能的 MOSFET 晶体管——BSC059N04LS6。这款晶体管属于 Infineon 的 OptiMOS™ 6 系列，是一款 40V 功率 MOSFET，广泛应用于多种高效能、低热设计的系统中。
BSC059N04LS6 产品描述
BSC059N04LS6 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TDSON-8-EP 封装，专为满足高效率、低导通电阻和高开关性能的需求而设计。其耐压为 40V，连续漏极电流可达 59A，导通电阻低至 5.9mΩ（@10V, 50A），适用于同步整流、ORing 电路及多通道 LED 驱动等领域。
BSC059N04LS6 功能特性
低导通电阻：相比同类产品，BSC059N04LS6 的导通电阻降低 30%，图腾柱损耗减少 29%，开关损耗降低 46%，适用于高效能、低热设计的系统。
高开关性能：栅极电荷量仅为 9.4nC（@10V），输入电容为 830pF（@20V），反向传输电容为 21pF（@20V），确保快速开关。
宽工作温度范围：工作温度范围为 -55℃ 至 +175℃，适用于各种极端环境。
优化的抗误导通设计：标准电平功率 MOSFET 针对不必要的感应误导通进行了优化，降低了功率损耗和故障风险。
规格参数
型号：BSC059N04LS6
品牌：Infineon
封装：TDSON-8
耐压：40V
连续漏极电流：59A
导通电阻：5.9mΩ（@10V, 50A）
耗散功率：38W
阈值电压：2.3V
栅极电荷量：9.4nC（@10V）
输入电容：830pF（@20V）
反向传输电容：21pF（@20V）
工作温度范围： -55℃ 至 +175℃
应用场景
BSC059N04LS6 广泛应用于以下领域：
电源管理：服务器、台式电脑、无线充电器、快充设备中的同步整流。
LED 驱动：多通道 LED 照明系统。
电路保护：ORing 电路（过载保护）及防反接电路设计。
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