产品介绍C3M0075120K 是一款高性能的 1200V、75mΩ N 沟道增强型碳化硅（SiC）功率 MOSFET，采用 Wolfspeed 的第三代 SiC 技术。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关性能和低电容等特性，适用于多种高功率应用。技术参数漏源电压：1200V导通电阻：75mΩ（最大 90…
产品介绍
C3M0075120K 是一款高性能的 1200V、75mΩ N 沟道增强型碳化硅（SiC）功率 MOSFET，采用 Wolfspeed 的第三代 SiC 技术。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关性能和低电容等特性，适用于多种高功率应用。
技术参数
漏源电压：1200V
导通电阻：75mΩ（最大 90mΩ）
连续漏极电流：32A
脉冲漏极电流：80A
最大功耗：136W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247-4
栅极电荷：51nC
阈值电压：1.8V 至 3.6V
反向恢复电荷：254nC
产品特性
高阻断电压：1200V，适用于高压应用。
低导通电阻：75mΩ，减少能量损耗。
高速开关性能：降低开关损耗，提高系统效率。
低电容：减少开关过程中的能量损耗。
快速体二极管：低反向恢复电荷，提高系统可靠性。
无卤素，符合 RoHS 标准。
应用场景
可再生能源：太阳能逆变器、能量存储系统。
电动汽车：电池充电器、高压 DC/DC 转换器。
工业应用：电机控制、焊接和感应加热。
开关模式电源：辅助电源、高压 DC/DC 转换器。
明佳达电子供应信息
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