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供应Cypress nvSRAM芯片:CY14V101QS-BK108XQ 高性能nvSRAM存储器芯片

供应Cypress nvSRAM芯片:CY14V101QS-BK108XQ 高性能nvSRAM存储器芯片

来源:本站时间:2025-08-06浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司现长期稳定供应CY14V101QS-BK108XQ高性能nvSRAM存储器芯片。产品描述:Cypress CY14V101QS-BK108XQ是一款1-Mbit(128K8)的Quad SPI nvSRAM芯片,具备高可靠性、快速读写和非易失性存储特性,广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备等高要求领域…

深圳市明佳达电子有限公司现长期稳定供应CY14V101QS-BK108XQ高性能nvSRAM存储器芯片。

CY14V101QS-BK108XQ.jpg

产品描述:

Cypress CY14V101QS-BK108XQ是一款1-Mbit(128K×8)的Quad SPI nvSRAM芯片,具备高可靠性、快速读写和非易失性存储特性,广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备等高要求领域。


产品特性:

高密度存储:1-Mbit(128K×8)存储容量,满足多种复杂应用场景。

高速接口:支持高达108MHz的时钟频率,读写速度可达54Mbps。

多种接口模式:支持单线SPI、双线DPI和四线QPI模式,灵活适配不同系统。

高可靠性:支持无限次读写和回忆(RECALL)操作,非易失性存储单元(SONOS FLASH Quantum Trap)可进行高达100万次存储(STORE)操作。

数据保护:具备硬件写保护(通过WP引脚)和软件写保护(通过写禁用指令),支持块保护功能。

低功耗模式:睡眠模式下平均电流为280µA(85°C),休眠模式下平均电流为8µA(85°C)。

宽工作温度范围:扩展工业级温度范围为-40°C至105°C,适应各种恶劣环境。

封装类型:24引脚无铅球栅阵列(FBGA),节省空间。


技术规格:

存储器类型:非易失性nvSRAM

存储容量:1Mbit(128K×8)

接口:Quad SPI

时钟频率:最高108MHz

工作电压:

核心电压VCC:2.7V至3.6V

I/O电压VCCQ:1.71V至2.0V

工作温度:

扩展工业级:-40°C至105°C

工业级:-40°C至85°C

封装:24-FBGA


应用场景

CY14V101QS-BK108XQ适用于需要高可靠性、快速读写和非易失性存储的应用,包括但不限于:

工业控制:电机控制、传感器数据采集。

消费电子:家用电器、电池管理。

汽车电子:车身控制、仪表盘和显示。

物联网(IoT):智能家居、无线传感节点。

医疗电子:便携式医疗设备、健康追踪设备。


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