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SK海力士HBM4定价曝光:较HBM3E溢价最高70%

SK海力士HBM4定价曝光:较HBM3E溢价最高70%

来源:本站时间:2025-08-07浏览数:

8月7日消息,据媒体报道,作为全球最早量产HBM4的存储器制造商,SK海力士正为AI芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位,SK海力士计划提高HBM4售价,预计相比HBM3E溢价可能高达70%。业内消息指出,今年上半年,SK海力士供应给英伟达的12层…

8月7日消息,据媒体报道,作为全球最早量产HBM4的存储器制造商,SK海力士正为AI芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位,SK海力士计划提高HBM4售价,预计相比HBM3E溢价可能高达70%。


业内消息指出,今年上半年,SK海力士供应给英伟达的12层堆叠HBM4单价约为500美元,相较同规格HBM3E(约300美元)高出60%-70%。


这一强势定价源于其在英伟达Blackwell Ultra产品组合中近乎垄断的HBM3E供应地位,以及HBM4领域的先发优势。更高的价格也反映了新一代HBM制造技术的复杂性,特别是其选择台积电4nm工艺生产基础裸片(Base Die)的成本考量。


面对高利润HBM市场的激烈争夺,三星正加速推进1cnm DRAM技术的开发与量产。吸取过往经验,三星此次策略转向稳扎稳打:不盲目追求抢先供应HBM4,而是聚焦于打造一款能够实现稳定供应的成熟产品,以赢得AMD及英伟达等客户的采用,确保长期可靠收益。随着HBM4时代临近,头部厂商间的竞争态势预计将比HBM3/HBM3E时期更为激烈。

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