NTTFSSCH1D3N04XL是一款高性能N沟道功率MOSFET，设计用于处理大电流场景，尤其适用于数据中心和云应用中的 直流-直流转换器（DC-DC）。以下是其核心特性与应用：超低1.3mΩ Rds(on) 提高了系统效率低Qg和电容，可最大限度地降低驱动和开关损耗板级可靠性（BLRT测试）：10…
NTTFSSCH1D3N04XL是一款高性能N沟道功率MOSFET，设计用于处理大电流场景，尤其适用于数据中心和云应用中的 直流-直流转换器（DC-DC）。以下是其核心特性与应用：
超低1.3mΩ Rds(on) 提高了系统效率
低Qg和电容，可最大限度地降低驱动和开关损耗
板级可靠性（BLRT测试）：1000次（-40°C至+125°C，10分钟）。dwell，+20°C/min，6层2.35T
采用先进的下源式中心栅极双冷却封装技术，导热性能优异
封装尺寸：3.3 mm x 3.3 mm x 0.58 mm
无铅、无卤、无BFR,符合RoHS指令
应用场景
NTTFSSCH1D3N04XL适用于以下场景：
云系统
数据中心/IBC
电源单元（PSU）
描述
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。这款40V、207A、单N沟道功率MOSFET具有更低的导通电阻、更高的功率密度以及出色的散热性能。
该屏蔽栅极沟槽设计具有超低栅极电荷和1.3mΩ RDS(on) 。紧凑型3.3mmx3.3mm下源双冷第二代封装无铅、无卤、无BFR，符合RoHS指令。该NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET设计用于为数据中心和云应用提供高效解决方案。
核心参数
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：207A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.3 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 6 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3480 pF @ 20 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：107W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：9-WDFN（3.3x3.3）
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