深圳市明佳达电子有限公司供应英飞凌功率MOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOS™3 功率晶体管，100V，低至44mΩ Rds(on)，18A，赋能高效电源转换。BSZ440N10NS3G 产品描述英飞凌（Infineon）BSZ440N10NS3G 是一款采用 OptiMOS™ 3 技术的N沟道功率MOSFET，以其低导通电阻、快速开…
深圳市明佳达电子有限公司供应英飞凌功率MOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOS™3 功率晶体管，100V，低至44mΩ Rds(on)，18A，赋能高效电源转换。
BSZ440N10NS3G 产品描述
英飞凌（Infineon）BSZ440N10NS3G 是一款采用 OptiMOS™ 3 技术的N沟道功率MOSFET，以其低导通电阻、快速开关能力和高可靠性著称，非常适合要求高效率的电源转换应用。
BSZ440N10NS3G 产品特性
低导通电阻：在 10V 的栅源电压下，漏源导通电阻仅为 44mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
高电流能力：连续漏极电流（Id）在 25°C 时可达 5.3A，能够满足高功率应用的需求。
快速开关：具备快速的开关速度，有助于提高电源转换效率，减少开关损耗。
高可靠性：采用先进的制造工艺和封装技术，确保器件在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
多种保护功能：内置多种保护功能，如过热保护和过流保护，增强了系统的安全性和可靠性。
BSZ440N10NS3G 规格参数
封装形式：PG-TSDSON-8
漏源电压（Vds）：100V
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：2.7V @ 12uA
漏源导通电阻（Rds(on)）：44mΩ @ 12A, 10V
最大功率耗散（Pd）：29W（Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C（TJ）
应用场景
BSZ440N10NS3G 广泛应用于以下领域：
AC-DC SMPS 的同步整流：提高电源转换效率，降低能耗。
DC-DC 转换器：用于高效率的直流电源转换，适用于服务器、通信设备等。
电机驱动：在电机控制应用中，提供高效的功率控制。
汽车电子：适用于汽车电子控制系统，如电动汽车的电池管理系统。
工业自动化：在工业控制系统中，用于实现快速的逻辑控制和数据处理。
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