LM74900QRGERQ1器件是一款具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管。概述：LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压…
LM74900QRGERQ1器件是一款具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管。
概述：
LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。
在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。
LM74900QRGERQ1 特性
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
– 器件温度等级 1：
–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
• 功能安全型
– 可提供用于功能安全系统设计的文档
• 3V 至 65V 输入范围
• 反向输入保护低至 –65V
• 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道MOSFET
• 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
• 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速关断响应(0.5µs)
• 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
• 可调过流和短路保护
• 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
• 可调节过压和欠压保护
• 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
• 睡眠模式，电流为 6µA（EN=高电平，SLEEP=低电平）
• 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
• 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
LM74900QRGERQ1 应用
• 汽车电池保护
– ADAS 域控制器
– 信息娱乐系统与仪表组
– 汽车音频：外部放大器
• 用于冗余电源的有源 ORing
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