摘要：英飞凌第二代CoolSiC™8-234mΩ1200VSiCMOSFET采用DPAK-7L封装，性能显著提升，适用于各类功率变换。产品系列包括11个型号，特点包括低开关损耗、高过载运行温度、抗寄生开通等。英飞凌新品第二代CoolSiC™ 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET DPAK-7L封装采用DPAK-7L(TO-2…
摘要：英飞凌第二代CoolSiC™8-234mΩ1200VSiCMOSFET采用D²PAK-7L封装，性能显著提升，适用于各类功率变换。产品系列包括11个型号，特点包括低开关损耗、高过载运行温度、抗寄生开通等。
英飞凌新品第二代CoolSiC™ 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装
采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。
第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功率变换。
产品特点：
▪ 开关损耗极低
▪ 过载运行温度最高可达T vj =200°C
▪ 短路耐受时间2µs
▪ 标杆性的栅极阈值电压， VGS(th) =4.2V
▪ 抗寄生开通能力强，可用0V栅极关断电压
▪ 用于硬换流的坚固体二极管
▪ .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能
产品优势：
▪ 最低R DS(on） ，最高输出能力
▪ 市场上最精细的产品系列，8-234mΩ11个型号
▪ 过载运行温度最高可达T vj =200°C
▪ 强大的短路额定值
▪ 雪崩稳健性
应用领域：
▪ 电动汽车充电
▪ 组串逆变器
▪ 在线式UPS/工业UPS
▪ 通用变频器（GPD）
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