全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本…
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。
该产品系列包含13款器件，额定电压为700 V、导通电阻范围在20 mΩ至315 mΩ之间。由于器件规格粒度增多，再加上PDFN、TOLL、TOLT等多种行业标准封装选项加持，因此客户可以根据应用的要求选择RDS电阻和封装，以更具成本效益的解决方案优化并实现电气与热系统性能。
该系列器件的特点是开启和关闭速度快且开关损耗极小。此外，凭借具有850 V业界最高瞬态电压的700 V E模式，它们能够更好地抵御用户环境中的异常情况（例如电压峰值），提高整个系统的可靠性。
供货情况
采用TOLL、PDFN 5x6和8x8封装的CoolGaN™ 晶体管700 V G4产品现已上市，今年晚些时候还将推出具有更多RDS(on) 以及使用TOLT封装的型号。
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