概述：ISK018NE1LM7是业界首款15 V额定沟槽功率MOSFETs产品系列的一部分，具有2.15 mOhm的极低RDS(on )，同时提供超过500 A的脉冲电流能力，与外壳底部的典型热阻结(RthJC)为1.6 K/W，4 mm2的小型封装可显著节省空间，PCB布局灵活，同时改善了外形尺寸。特征N通道，逻辑电…
概述：
ISK018NE1LM7是业界首款15 V额定沟槽功率MOSFETs产品系列的一部分，具有2.15 mOhm的极低RDS(on )，同时提供超过500 A的脉冲电流能力，与外壳底部的典型热阻结(RthJC)为1.6 K/W，4 mm2的小型封装可显著节省空间，PCB布局灵活，同时改善了外形尺寸。
特征
N通道，逻辑电平
极低的导通电阻(开)
超耐热
100%雪崩测试
无铅电镀；RoHS顺从性
不含卤素，符合IEC61249-2-21
优化高性能SMPS，例如同步整流
潜在应用
• SMPS
• 计算机网络服务器
• 数据通信
• 人工智能
产品名称：ISK018NE1LM7AULA1
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：15 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），129A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 20A，7V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 106µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13.6 nC @ 7 V
Vgs（最大值）：±7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 7.5 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），39W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-VSON-6-1
封装/外壳：6-PowerVDFN
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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