24Gb GDDR7采用的是第五代10纳米级DRAM制程技术。这使得GDDR7可在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下，将单元密度提高了50%。
三星电子近日宣布，已成功开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM（第七代图形双倍数据传输率存储器） 。GDDR7具备非常高的容量和极快的速率，这使得它成为众多下一代应用程序的理想选择之一。
凭借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域，例如数据中心和人工智能工作站，这将进一步扩展图形 DRAM 在显卡、游戏机和自动驾驶等传统应用领域之外的应用范围。
三星电子存储器产品企划团队执行副总裁裴永哲（Bae YongCheol）表示：
继去年开发出三星首款16Gb GDDR7后，三星凭借此次最新研发成果，进一步巩固了其在图形DRAM市场的技术前沿优势。我们将持续推出新一代产品，以满足人工智能市场不断增长的需求，引领图形DRAM市场发展。
24Gb GDDR7采用的是第五代10纳米级DRAM制程技术。这使得GDDR7可在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下，将单元密度提高了50%。
除了采用先进的工艺节点外，GDDR7还使用了脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度在图形DRAM中达到业界前沿的40Gbps，与前代产品相比提高了25%。根据使用环境的不同，GDDR7的性能可以进一步提升至最高42.5Gbps。
同时，将原先应用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM，GDDR7实现了能效的显著提高。通过采用包括“时钟控制管理”和“双电压（VDD）设计”等方法，可以大幅降低不必要的功耗，进而实现超过30%的能效提升。
为了确保在高速运行时依然具备卓越的稳定性，24Gb GDDR7采用了电源门控设计，尽可能地降低电流泄漏。
今年，三星将携手主要GPU客户，在下一代人工智能计算系统中对24Gb GDDR7进行验证，并计划于明年年初实现该技术的商业化。
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