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铠侠宣布将开发新型 CXL 存储:功耗、密度优于 DRAM、读取快于 NAND

铠侠宣布将开发新型 CXL 存储:功耗、密度优于 DRAM、读取快于 NAND

来源:本站时间:2024-11-08浏览数:

铠侠计划开发新型 CXL 接口存储,目标打造出较 DRAM 内存功耗更低且位密度更高的同时较 NAND 闪存读取速度更快的新型存储器。

11 月 8 日消息,铠侠日本当地时间昨日表示,其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构(NEDO)“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划采纳。


铠侠表示,在后 5G 信息和通信系统时代,AI 普及等因素产生的数据量预计将变得极其庞大,从而导致数据中心的数据处理和功耗增加。因此数据中心使用的存储器必须能够在高性能处理器之间高速传输数据,提高容量并降低功耗。


铠侠计划开发新型 CXL 接口存储,目标打造出较 DRAM 内存功耗更低且位密度更高的同时较 NAND 闪存读取速度更快的新型存储器。这不仅可提高存储器利用效率,还有助于节能。

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关于铠侠

铠侠(Kioxia)主要从事闪存(FLASH)及固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。作为全球领先的存储器解决方案供应商,铠侠在行业中处于领导地位,特别是在NAND闪存芯片生产方面,铠侠是世界上顶级的生产商之一,全球市场份额仅次于三星。铠侠在2012年曾全球首发24层BiCS1 3D NAND Flash,并在后续不断优化和发展,现已成功开发出162层BiCS6 3D NAND Flash,为固态硬盘带来更强劲的性能‌。

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