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Microchip宣布推出广泛的IGBT 7 功率器件组合

Microchip宣布推出广泛的IGBT 7 功率器件组合

来源:本站时间:2024-11-19浏览数:

为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求,功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案,Microchip Technology(微芯科技公司)近日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。这一新产…

为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求,功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案,Microchip Technology(微芯科技公司)近日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。


这一新产品组合具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的器件尺寸,旨在满足可持续发展、电动汽车和数据中心等高增长细分市场的需求。高性能IGBT 7器件是太阳能逆变器、氢能生态系统、商用车和农用车以及更多电动飞机(MEA)中电源应用的关键构件。


设计人员可根据自己的要求选择合适的功率器件解决方案。IGBT 7器件采用标准D3和D4 62毫米封装,以及SP6C、SP1F和SP6LI封装。该产品组合可在以下拓扑结构中提供多种配置:三电平中性点钳位(NPC)、三相桥、升压斩波器、降压斩波器、双共源、全桥、相腿、单开关和T型。支持电压范围为1200V至1700V,电流范围为50A至900A。


Microchip负责分立产品业务的副总裁 Leon Gross 表示:“多功能 IGBT 7系列产品是易用性和成本效益与更高功率密度和可靠性的完美结合,为我们的客户提供了最大的灵活性。这些产品专为通用工业应用以及专业航空航天和国防应用而设计。此外,我们的电源解决方案还可与Microchip广泛的FPGA、单片机(MCU)、微处理器(MPU)、dsPIC® 数字信号控制器 (DSC)和模拟器件集成,能够实现由一家供应商提供全面的系统解决方案。”


更低的导通IGBT电压 (Vce)、改进的反并联二极管(Vf更低)和更高的电流能力可实现更低的功率损耗、更高的功率密度和更高的系统效率。低电感封装加上Tvj -175°C时更高的过载能力,使这些器件成为以较低系统成本创建坚固耐用、高可靠性航空和防务应用(如推进、驱动和配电)的绝佳选择。


对于需要增强 dv/dt 可控性的电机控制应用,IGBT 7 器件经过设计,可实现高效、平滑和优化的开关驱动,从而使电机平滑转动。这些高性能器件还旨在提高系统可靠性、降低EMI和减少电压尖峰。


Microchip提供广泛的电源管理解决方案组合,包括模拟器件、硅(Si)和碳化硅(SiC)电源技术、dsPIC® 数字信号控制器 (DCS)以及标准、改进和定制电源模块。有关Microchip电源产品的更多信息,请访问网站查阅。

如需了解更多信息,请访问网站 www.microchipdirect.com。


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