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嵌入式和网络处理器

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QPA3310

产品说明:45 - 1795 MHz、23 dB 增益、24 V DOCSIS 4.0 功率倍增器混合功率放大器

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPC8017QSR

产品说明:射频开关 IC SP8T Switch, LTE, RFFE

封装:QFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPC8017QDK

产品说明:射频开关 IC SP8T Switch, LTE, RFFE

封装:QFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPL9036QTR7

产品说明:射频前端 汽车 超低噪声、高线性度

封装:QFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPC8017QTR13

产品说明:射频开关 IC SP8T Switch, LTE, RFFE

封装:QFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPF1005QTR13

产品说明:射频前端 V2X iFEM

封装:SMD
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
QPF4239QTR13

产品说明:射频前端 汽车 Hastings 双 2.4GHz FEM

封装:QFN-16
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DW3720TR13

产品说明:射频收发器 UWB 收发器 IC,AOA,WLCSP

封装:WLCSP
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075060L8SSB

产品说明:750V 58 欧姆 SiC FET 晶体管

封装:MO-229-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075060L8SSR

产品说明:750V 58 欧姆 SiC FET 晶体管

封装:MO-229-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075044L8SSB

产品说明:750V 44 欧姆 SiC FET 晶体管

封装:MO-229-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075044L8SSR

产品说明:750V 44 欧姆 SiC FET 晶体管

封装:MO-229-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075033L8SSR

产品说明:750V 33 欧姆 SiC FET 晶体管

封装:MO-229-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075033L8SSB

产品说明:750V 33 欧姆 SiC FET 晶体管

封装:MO-229-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075023L8SSR

产品说明:750V 23mohm SiC FET 晶体管

封装:MO-229-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075023L8SSB

产品说明:750V 23mohm SiC FET 晶体管

封装:MO-229-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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