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嵌入式和网络处理器

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NTB7D3N15MC
ON

产品说明:MOSFET - N 沟道屏蔽栅 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A

封装:TO-263-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTD360N65S3H
ON

产品说明:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET III,FAST,650 V,10 A,360 欧姆,DPAK

封装:TO-252-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCD57090EDWR2G
ON

产品说明:隔离式大电流 IGBT/MOSFET 栅极驱动器

封装:SOIC-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP51561BBDWR2G
ON

产品说明:5kVrms隔离式双通道4.5/9A栅极驱动器

封装:SOIC-16
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32U073RCT6
ST

产品说明:超低功耗 Arm Cortex-M0+ MCU,带 256 Kbytes 闪存、LCD、USB 和 56 MHz CPU

封装:LQFP-64
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
KTM8GL1ASI01

产品说明:存储器 EMMC 5.1 FLASH, 8 GB, x1 / x4 / x8, 153-FBGA

封装:FBGA-153
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NOIP1SN0300A-QTI
ON

产品说明:CMOS 图像传感器,0.3 MP (VGA),全局快门

封装:LCC-48
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUC60N04S6N050H

产品说明:OptiMOS™ - 用于汽车应用的功率 MOSFET

封装:TDSON-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
KTM4GH1AHI01

产品说明:存储器 EMMC 5.1 FLASH, 4 GB, x1 / x4 / x8, 153-FBGA

封装:FBGA-153
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G015MUV-LBE2

产品说明:Nano Cap™,EcoGaN™,650V 150mΩ 2MHz,GaN HEMT 功率级 IC

封装:VQFN-46
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
KTDM2G3C818BGIEAT

产品说明:动态随机存取存储器 DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA

封装:FBGA-78
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
KTDM2G3C818BGCEAT

产品说明:动态随机存取存储器 DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA

封装:FBGA-78
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
KTDM2G3C618BGCEAT

产品说明:动态随机存取存储器 DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA

封装:FBGA-96
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
KTDM2G3C618BGIEAT

产品说明:动态随机存取存储器 DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA

封装:FBGA-96
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
KTDM4G3C818BGIEAT

产品说明:动态随机存取存储器 DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA

封装:FBGA-78
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
KTDM4G3C818BGCEAT

产品说明:动态随机存取存储器 DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA

封装:FBGA-78
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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