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产品说明:MOSFET - 阵列 40V 98A(Ta) 85W(Ta) 表面贴装型 LFPAK56D
封装:LFPAK56D产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 120A(Ta) 395W(Ta) LFPAK56; Power-SO8
封装:LFPAK56产品说明:MOSFET - 阵列 100V 29A 64W 表面贴装型 LFPAK56D
封装:LFPAK56D产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 95A(Ta) 90W LFPAK33
封装:LFPAK33产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 325A(Ta) 375W(Ta) LFPAK88(SOT1235)
封装:LFPAK88产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 140A(Ta) 135W(Ta) LFPAK88(SOT1235)
封装:LFPAK88产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 190A(Ta) 183W(Ta) LFPAK88(SOT1235)
封装:LFPAK88产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 190A(Tc) 395W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
封装:LFPAK56产品说明:表面贴装型 N 通道 80 V 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
封装:LFPAK56产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 120A(Ta) 217W(Ta) LFPAK56,Power-SO8
封装:LFPAK56产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 120A(Ta) 294W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
封装:LFPAK56产品说明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:能量收集 PMIC 16-HWQFN(3x3)
封装:HWQFN-16产品说明:650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8产品说明:650 V、190 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封装
封装:DFN5060-5电话咨询:86-755-83294757
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