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IPP60R040C7

产品说明:600 V 50A CoolMOS™ C7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RBA300N10EHPF-5UA02

产品说明:100V 340A 1.5mΩ REXFET-1 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RBA300N10EANS-3UA02

产品说明:100V 340A 1.5mΩ REXFET-1 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC020N03MSG

产品说明:OptiMOS™ 3M 系列功率 MOSFET,30V

封装:PG-TDSON-8
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPL65R165CFD

产品说明:表面贴装型 N 通道 650 V 21.3A(Tc) 195W(Tc) PG-VSON-4

封装:PG-VSON-4
10起
7500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW65R110CFD

产品说明:通孔 N 通道 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO247-3-41

封装:PG-TO247-3
10起
24000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW58N60DM2AG
ST

产品说明:汽车级N沟道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装

封装:TO-247-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPG20N04S4L-11

产品说明:40V,双 N-Ch,最大 11.6 mΩ,汽车 MOSFET,双 SS08 (5x6),OptiMOS™-T2

封装:PG-TDSON-8
10起
35000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPZ40N04S5L-2R8

产品说明:汽车 MOSFET,S3O8,OptiMOS™-5 功率晶体管

封装:TSDSON-8
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPC100N04S5L-1R5

产品说明:40V,N-Ch,最大 1.5 mΩ,汽车 MOSFET,SS08 (5x6),OptiMOS™-5

封装:PG-TDSON-8
10起
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC500N20NS3G

产品说明:OptiMOS™ 3 功率晶体管,200 V

封装:PG-TDSON-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXFX230N20T

产品说明:通孔 N 通道 200 V 230A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247™-3

封装:TO-247-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT016H120G3AG
ST

产品说明:1200 V 汽车级碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:H2PAK-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT012W90G3-4AG
ST

产品说明:900 V 汽车级碳化硅功率 MOSFET 晶体管

封装:HiP247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB029N15NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 150 V 正常电平,采用 D²PAK 3 引脚封装

封装:PG‑TO263‑3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSZ075N08NS5

产品说明:80V、OptiMOS™5 功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TSDSON-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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