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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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操作

HAS350M12BM3

产品说明:碳化硅(SiC)模块 1200V 350A 底座安装,62 mm, 半桥

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
HAS530M12BM3

产品说明:碳化硅(SiC)模块 1200V 530A 底座安装,62 mm, 半桥

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CHB011M12GM4

产品说明:1200 V, 11 mΩ, GM, T型, 工业级碳化硅(SiC)模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB004M12GM4

产品说明:1200 V, 4 mΩ, GM, 半桥,工业级碳化硅(SiC)模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH020P120MNF1PG
ON

产品说明:1200V 20 欧姆碳化硅模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXK2VR80WXT2
ON

产品说明:1200V 三相桥式碳化硅(SiC)模块

封装:APM-32
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXK2VR40WXT2
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - 1200V 三相桥式电源模块

封装:APM-32
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD29HFC120N6HT

产品说明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模块

封装:N6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD29HTC120P6HET

产品说明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模块

封装:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD29HTC120P6HEL

产品说明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模块

封装:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD29HTC120P6HEF

产品说明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模块

封装:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD29HTC120P6HE

产品说明:1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模块

封装:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD22HTC120P6HET

产品说明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模块

封装:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD22HTC120P6HEL

产品说明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模块

封装:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD22HTC120P6HEF

产品说明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模块

封装:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MD22HTC120P6HE

产品说明:1200V/2.15mΩ SiC MOSFET 模块

封装:P6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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