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IQDH45N04LM6CGSC

产品说明:OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V,采用 PQFN 5x6 下源中心栅 DSC 封装,具有极低的 RDS(on)

封装:PG-WHTFN-9
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUMN04S7N005G

产品说明:250 A、40 V、采用 OptiMOS™-7 技术的汽车功率 MOSFET

封装:PG-HSOG-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH29NE2LM5SC

产品说明:25V,N-通道功率 MOSFET 晶体管,PG-WHSON-8

封装:PG-WHSON-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUZN04S7N049

产品说明:采用 OptiMOS™-7 技术的 60 A、40 V 汽车功率 MOSFET

封装:PG-TSDSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQDH29NE2LM5CGSC

产品说明:25V,N-通道功率 MOSFET 晶体管,PG-WHTFN-9

封装:PG-WHTFN-9
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BGA535N6

产品说明:用于 L1/L2/L5 GNSS 应用的宽带低功耗低噪放大器LNA IC

封装:PG-TSNP-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS520R12A8P1LB

产品说明:1200V,520A HybridPACK™ Drive G2 模块

封装:模块
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS03MR12A7MA2B

产品说明:HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™ - 紧凑型 1200V/310A B6 桥功率模块

封装:模块
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FS3L40R12W2H7PB11

产品说明:1200V、40A、EasyPACK™ 2B 三电平 IGBT 模块

封装:模块
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AIMZA75R008M1H

产品说明:碳化硅 CoolSiC™ MOSFET - 750V CoolSiC™ 汽车MOSFET 晶体管

封装:PG-TO247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2600UXTR33T2M1

产品说明:碳化硅 MOSFET 模块 - 3.3kV、CoolSiC™ MOSFET 半桥模块

封装:模块
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF2000UXTR33T2M1

产品说明:碳化硅 MOSFET 模块 - 3.3kV、CoolSiC™ MOSFET 半桥模块

封装:模块
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IM64A130A

产品说明:高性能模拟 XENSIV™ MEMS 麦克风,PG-TLGA-4

封装:PG-TLGA-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R034M2H

产品说明:CoolSiC MOSFET分立式1200 V G2 TO-263-7

封装:PG-TO263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPQC60T010S7A

产品说明:600 V CoolMOS S7TA功率MOSFET

封装:PG-HDSOP-22
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPQC60T010S7

产品说明:600 V CoolMOS S7T功率MOSFET

封装:PG-HDSOP-22
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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