东芝 π-MOS VIII MOSFET 是基于东芝第八代平面半导体工艺的 10V 栅极驱动、单 N 沟道器件,该工艺结合了高水平的单元集成和优化的单元设计。与前几代产品相比,该技术降低了栅极电荷和电容,同时又不失低 RDS(ON) 的优势。这些 MOSFET 的额定电压为 800V 和 900V,主要针对 LED 照明中的反激式转换器、辅助电源和其他需要低于 5.0A 电流开关的电路等应用。这些器件采用标准 TO-220 通孔外形尺寸和表面贴装 DPAK 封装。
TK10A80E 产品属性
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 46 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 50W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装:TO-220SIS
封装/外壳: TO-220-3 整包
应用
开关稳压器
型号
品牌
封装
数量
描述
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TOSHIBA(东芝),是日本最大的半导体制造商、第二大综合电机制造商,隶属于三井集团。东芝原名东京芝浦电气株式会社,1939年由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成;从1875年开创至今,已经走过了140年的漫长历程。2018年,东芝将其笔记本电脑业务卖给了夏普。…
TW140Z120C
TW140Z120C是一款采用TO-247-4封装形式的20A、1200V第三代碳化硅MOSFET,设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW140Z120C的规格FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)…TW060Z120C
TW060Z120C 是一款采用TO-247-4封装形式的36A、1200V第三代碳化硅MOSFET。规格FET 类型:N 通道技术:SiC漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):82 毫欧 @ 18A,1…TW045Z120C
TW045Z120C —— 40A、1200V第三代碳化硅MOSFETFET 类型:N 通道技术:SiC漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):62 毫欧 @ 20A,18V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)…TW015Z120C
TW015Z120C是一款100A、1200V第三代碳化硅MOSFET器件,设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW015Z120C(参数)FET 类型:N 通道技术:SiC漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流…TW015Z65C
TW015Z65C是一款100A、650V第三代碳化硅MOSFET,具有高电压、更快开关和更低的导通电阻。该MOSFET设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW015Z65C(参数)FET 类型:N 通道技术…TW027Z65C
TW027Z65C器件是一款58A、650V第三代碳化硅MOSFET,具有高电压、更快开关和更低的导通电阻。该MOSFET设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW027Z65C(参数)FET 类型:N 通道…电话咨询:86-755-83294757
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