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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:TK10A80E

商品名称:TK10A80E

数据手册:TK10A80E.pdf

品牌:TOSHIBA

年份:23+

封装:TO-220F

货期:全新原装

库存数量:20000

数量:
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技术参数

制造商
TOSHIBA
型号
TK10A80E
封装
TO-220F
描述
通孔 N 通道 800 V 10A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS

产品描述

东芝 π-MOS VIII MOSFET 是基于东芝第八代平面半导体工艺的 10V 栅极驱动、单 N 沟道器件,该工艺结合了高水平的单元集成和优化的单元设计。与前几代产品相比,该技术降低了栅极电荷和电容,同时又不失低 RDS(ON) 的优势。这些 MOSFET 的额定电压为 800V 和 900V,主要针对 LED 照明中的反激式转换器、辅助电源和其他需要低于 5.0A 电流开关的电路等应用。这些器件采用标准 TO-220 通孔外形尺寸和表面贴装 DPAK 封装。


TK10A80E 产品属性

FET 类型: N 通道  

技术: MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss): 800 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :10A(Ta)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 @ 5A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 46 nC @ 10 V  

Vgs(最大值): ±30V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2000 pF @ 25 V  

FET 功能: -  

功率耗散(最大值): 50W(Tc)  

工作温度: 150°C(TJ)  

安装类型: 通孔  

供应商器件封装:TO-220SIS  

封装/外壳: TO-220-3 整包


应用

开关稳压器

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型号

品牌

封装

数量

描述

ISC079N15NM6

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PG-TDSON-8

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IPF026N15NM6

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PG-TO263-7

3000

150V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管,PG-TO263-7

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TO-220-3

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IPTG017N12NM6

INFINEON

PG-HSOG-8

3000

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TO-247-3

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E3M0060065K

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2000

650V、60mΩ、37A 碳化硅功率 MOSFET 晶体管,TO-247-4 封装

C3M0045065D

Wolfspeed

TO-247-3

2000

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C3M0045065J1

Wolfspeed

TO-263-7

2000

650V、45mΩ、47A、碳化硅功率 MOSFET 晶体管 TO-263-7

常见问题

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    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

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TOSHIBA

TOSHIBA

TOSHIBA(东芝),是日本最大的半导体制造商、第二大综合电机制造商,隶属于三井集团。东芝原名东京芝浦电气株式会社,1939年由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成;从1875年开创至今,已经走过了140年的漫长历程。2018年,东芝将其笔记本电脑业务卖给了夏普。…

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