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UCC27200QDDARQ1 高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120-V自举二极管和具有独立输入的高压侧和低压侧驱动器，以实现最大的控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正向和主动钳位正向转换器中控制N沟道MOSFET。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，彼此的开启和关闭之间的匹配时间为1ns。

属性

驱动配置 半桥  

通道类型 独立式  

驱动器数 2  

栅极类型 N 沟道 MOSFET  

电压 - 供电 8V ~ 17V  

逻辑电压 - VIL，VIH 3V，8V  

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） 3A，3A  

输入类型 非反相  

高压侧电压 - 最大值（自举） 120 V  

上升/下降时间（典型值） 8ns，7ns  

工作温度 -40°C ~ 140°C（TJ）  

安装类型 表面贴装型  

封装/外壳 8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）  

供应商器件封装 8-SO-PowerPad 

应用

电信、数据通信和商业市场的电源

半桥应用和全桥转换器

隔离式总线结构

双开关正向转换器

有源钳制正向转换器

高电压同步降压转换器

D类音频放大器

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