商品名称：NVBG070N120M3S
数据手册：
NVBG070N120M3S.pdf
品牌：ON
年份：23+
封装：D2PAK-7L
货期：全新原装
库存数量：1000 件
NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET是设计用于快速开关应用的1200V M3S平面EliteSiC MOSFET。该MOSFET由18V栅极驱动驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。具有57nC超低栅极电荷、57pF高速开关（电容低）以及65mΩ典型漏极-源极导通电阻（VGS=18V时）。
特点
● 典型值 RDS(on) = 65 m @ VGS = 18 V
● 超低栅极电荷 (QG(tot) = 57 nC)
● 高速开关，低电容（Coss = 57 pF）
● 100% 通过雪崩测试
● 通过 AEC-Q101 认证和 PPAP 认证
● 该器件不含卤化物，符合 RoHS 7a 豁免要求、
● 无铅 2LI（在第二层互连上）
应用
● 汽车板载充电器
● 用于电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC/DC 转换器
型号
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描述
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