商品名称:FAM65CR51AXZ2
数据手册:FAM65CR51AXZ2.PDF
品牌:ON
年份:23+
封装:Module
货期:全新原装
库存数量:2000 件
FAM65CR51AXZ2功率集成 MOSFET 模块,带升压转换器级,用于多相和半无桥功率因数校正 (PFC),带二极管。
特性
• 集成 SIP 或 DIP 升压转换器级电源模块,用于电动汽车或 PHEV 车载充电器 (OBC)
• 5 kV/1 秒电气隔离基底,便于组装
• 爬电距离和间隙符合 IEC60664-1、IEC 60950-1 标准
• 设计紧凑,模块总电阻低
• 模块序列化,实现完全可追溯性
• 符合无铅、RoHS 和 UL94V-0 标准
• 根据 AEC Q101 和 AQG324 准则通过汽车认证
• 使用碳化硅二极管提高性能
应用
• PHEV 或 EV 车载充电器的 PFC 阶段
型号
品牌
封装
数量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
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UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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