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APTM50H15FT1G是一款由Microchip推出的功率模块，主要用于全桥式MOSFET功率模块应用。该模块采用SP1封装，这种封装设计有助于减少寄生电感，提高开关速度‌。

APTM50H15FT1G的技术规格

技术：MOSFET（金属氧化物）

配置：4 N 沟道（全桥）

FET 功能：-

漏源电压（Vdss）：500V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 21A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：170nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5448pF @ 25V

功率 - 最大值：208W

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP1

应用范围

APTM50H15FT1G适用于开关电源、工业应用和电机控制等领域‌。

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