商品名称:MCMA200PD1600YB
数据手册:MCMA200PD1600YB.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封装:Module
货期:全新原装
库存数量:2000 件
MCMA200PD1600YB 是一款 1.6kV 315A 可控硅二极管底座安装模块。
功能特点
线路频率晶闸管
平面钝化芯片
长期稳定性
直接铜键合 Al2O3 陶瓷
优势
隔离电压
行业标准外形
符合 RoHS 规范
用于 PCB 安装的焊接引脚
底板 DCB 陶瓷
重量减轻
先进的功率循环
应用
50/60 Hz 线路整流
交流电机软启动控制
直流电机控制
电源转换器
交流电源控制
照明和温度控制
型号
品牌
封装
数量
描述
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IXYS(中文名: 艾赛斯)总部位于美国硅谷,1983年成立,主营:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域,产品技术特点为高压、高功率,涵盖了…
IXA33IF1200HB
IXA33IF1200HB 高速 IGBT 是高速、高增益 1200V 绝缘栅双极晶体管产品。1200V XPT 高速 IGBT 具有较高的额定电流(105A 至 160A,Tc = 25C),并针对需要高达 50kHz 硬开关频率的高压应用中降低开关损耗进行了专门优化。产品属性IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值)…IXYH55N120B4H1
IXYH55N120B4H1 - 1200V、55A XPT™ Gen4 IGBT 晶体管,带声波二极管,用于 5kHz - 30kHz 开关的极轻型穿通式 IGBT产品描述这些器件采用我们专有的 XPT™ 薄晶片技术和最先进的沟槽式 IGBT 工艺开发而成,具有热阻小、能量损耗低、开关速度快、尾电流低和电流密度高等特点…IXYK120N120C3
IXYK120N120C3 器件采用最先进的genx 3 IGBT工艺和极轻穿通(XPT)设计平台制造,具有高电流处理能力、高速开关能力、低总能量损耗和低电流下降时间等特性。该IGBT具有正的集电极-发射极电压温度系数,使得设计人员可以并联使用多个器件来满足高电流要求。规格IGBT 类型:…IXYH55N120C4H1
IXYH55N120C4H1 - 用于 20kHz - 50kHz 开关的 1200V、55A XPT™ Gen4 IGBT 晶体管,带声波二极管高速 IGBT产品描述这些器件采用我们专有的 XPT™ 薄晶片技术和最先进的沟槽式 IGBT 工艺开发而成,具有热阻小、能量损耗低、开关速度快、尾电流低和电流密度高等特点。特性和…IXYH10N170C
IXYH10N170C器件采用专有的薄晶圆XPT技术和最先进的IGBT工艺设计,具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和高速开关能力等特性。应用范围包括脉冲电路、激光和X射线发生器、高压电源、高压测试设备、电容器放电电路、交流开关。产品属性IGBT 类型:-电压 - 集射极击穿(最大值…IXXX160N65B4
IXXX160N65B4器件采用IXYS专有的XPT薄晶圆技术和最先进的沟槽IGBT工艺开发,具有低热阻、低能耗、快速开关、低尾电流和高电流密度的特点。此外,该器件还具有方形反向偏置安全工作区(RBSOA)和650V击穿电压,非常适合无缓冲器硬开关应用。规格IGBT 类型:PT电压 - 集射极…电话咨询:86-755-83294757
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