IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET，专为高电流和高电压应用设计。该器件采用 N 通道结构，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于多种电源管理和功率转换场景。
IXFX230N20T产品属性
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 230 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 358 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.67 kW
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
配置: Single
晶体管类型: 1 N-Channel
型号
品牌
封装
数量
描述
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