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CoolMOS™ 第 7 代平台是用于高电压功率 MOSFET 的革命性技术。(SJ)原理设计，并由英飞凌技术公司率先推出。IPB60R045P7是继 CoolMOS™P6 系列之后的又一成功产品。它将快速开关 SJMOSFET 的优点与出色的易用性结合在一起，例如非常容易使用。它将快速开关 SJMOSFET 的优点与出色的易用性结合在一起，例如极低的振铃瞬时、出色的体。它结合了快速开关 SJMOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的绕组延时、出色的本体稳健性、抗剧烈突变的二极管和出色的 ESD 能力。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：61A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 22.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.08mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3891 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：201W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-3-2

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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