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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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商品型号:IPDQ60R010S7A

商品名称:IPDQ60R010S7A

数据手册:IPDQ60R010S7A.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封装:22-PowerBSOP 模块

货期:全新原装

库存数量:1000

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公司名称:

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IPDQ60R010S7A
封装
22-PowerBSOP 模块
描述
表面贴装型 N 通道 600 V 50A(Tc) 694W(Tc) PG-HDSOP-22-1

产品描述

IPDQ60R010S7A 是 600 V CoolMOS™ S7A SJ MOSFET 晶体管。它经过优化,具有低传导损耗和市场上最低的 RDS(on) 高压 SJ MOSFET 特性。它具有前所未有的 RDS(on) x 价格优势,非常适合有源线路配置中的高压电子保险丝、高压电子断开和车载充电器 PFC 级。


特性概述

最低 RDS(on)

紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装

针对传导性能进行了优化

改进的热阻

高脉冲电流能力

开尔文源引脚提高了大电流时的开关性能


优点

将传导损耗降至最低

提高能效

设计更紧凑、更简便

降低总拥有成本或 BOM 成本


潜在应用

高压电子保险丝

高压电子断连

板载充电器


相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

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    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

INFINEON

INFINEON

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