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BSC052N08NS5 是一款 N沟道功率MOSFET，采用 TDSON-8封装，属于 OptiMOS™ 5系列。该器件专为高效电源转换设计，适用于服务器电源、通信设备、太阳能逆变器、低压驱动及适配器等应用。其优化的低导通电阻（RDS(on)） 和 高开关频率 特性，可显著提升系统效率并降低功耗。

核心特性

低导通电阻（RDS(on)）

5.2mΩ @ VGS=10V, ID=47.5A，减少导通损耗。

相比上一代产品，RDS(on)降低高达43%，提高功率密。

连续漏极电流（ID）：95A

脉冲漏极电流（IDM）：380A，适用于高瞬态负载。

上升时间：7ns

下降时间：5ns，减少开关损耗。

低热阻封装（TDSON-8），提升散热效率。

工作温度范围：-55°C ~ +150°C，适应严苛环境。

低栅极电荷（Qg）32nC @ VGS=10V，降低驱动损耗，提高效率。

关键参数

型号：BSC052N08NS5 

漏源电压（VDS）： 80 V

连续漏极电流（ID）： 95 A

导通电阻（RDS(on)）： 5.2mΩ（@10V, 47.5A）

栅极电荷（Qg） 32 nC（@10V）

输入电容（Ciss） 2.9nF（@40V）

开关频率：100kHz

封装：TDSON-8

潜在应用

通信

服务器

太阳能

低压驱动器

轻型电动车

适配器

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