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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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商品型号:IPTC063N15NM5

商品名称:IPTC063N15NM5

数据手册:IPTC063N15NM5.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封装:PG-HDSOP-16-2

货期:全新原装

库存数量:2000

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技术参数

制造商
INFINEON
型号
IPTC063N15NM5
封装
PG-HDSOP-16-2
描述
N 沟道 150 V 16.2A(Ta),122A(Tc) 3.8W(Ta),214W(Tc) 表面贴装

产品描述

IPTC063N15NM5 是 OptiMOS™ 5 N 沟道 150 V 表面贴装功率晶体管。


产品属性

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏极至源极电压 (Vdss):150 V

电流 - 25°C 时的连续漏极 (Id):16.2A (Ta),122A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V

Rds On(最大)@ Id,Vgs:6.3mOhm @ 50A,10V

栅极电荷(Qg)(最大值)@ Id:4.6V @ 163µA

栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:63 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds:4800 pF @ 75 V

功率耗散(最大值):3.8W (Ta),214W (Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)


特性

N 沟道、正常电平

极低的导通电阻 Rds(on)

卓越的热阻

100% 通过雪崩测试

无铅电镀;符合 RoHS 规范

无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准


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型号

品牌

封装

数量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

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NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

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NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

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NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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INFINEON

INFINEON

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