商品名称：AFGY100T65SPD
数据手册：
AFGY100T65SPD.PDF
品牌：ON
年份：23+
封装：TO-247-3
货期：全新原装
库存数量：1000 件
AFGY100T65SPD场终止型沟槽IGBT符合AEC-Q101标准，导通和开关损耗极低。借助这些特性，可在各种应用中实现高效率运行，具有出色的瞬态可靠性和低EMI。
安森美半导体AFGY100T65SPD IGBT具有出色的并行运行性能以及均衡的电流共享等优势。此外，AFGY100T65SPD IGBT具有紧密的参数分布、高输入阻抗和短路耐受性。
规格
产品种类: IGBT 晶体管
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3LD
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 660 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
g工厂包装数量: 30
应用
HEV/EV牵引逆变器
辅助直流/交流转换器
电机驱动器
其他需要大功率开关的动力传动系应用
型号
品牌
封装
数量
描述
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