商品名称:IMZA120R030M1H
数据手册:IMZA120R030M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-247-4
货期:全新原装
库存数量:2000 件
IMZA120R030M1H 的 CoolSiC™ 1200 V、30 mΩ SiC MOSFET 采用 TO-247-4 封装,基于最先进的沟槽半导体工艺,经过优化,兼具性能和可靠性。
功能特点
Tvj = 25°C 时,VDSS = 1200 V
IDDC = 70 A(Tc = 25°C 时
VGS = 18 V、Tvj = 25°C 时,RDS(on)= 30 mΩ
开关损耗极低
短路耐受时间 3 µs
基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.2 V
可防止寄生导通,可采用 0 V 关断栅极电压
坚固的体二极管可实现硬换向
采用 .XT 互连技术,具有同类最佳的散热性能
应用
通用驱动器 (GPD)
电动汽车充电
在线 UPS/工业 UPS
组串逆变器
太阳能优化器
型号
品牌
封装
数量
描述
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