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UF3C065080B7S碳化硅场效应晶体管器件采用独特的 "级联 "电路配置，其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装，从而产生一个常关型 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT 的真正替代 "硅 IGBT、硅 FET、SiC MOSFET 或硅超结器件。采用 D2 PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性、使其成为开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（共源共栅 SiCJFET）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 20A，12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 12 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：760 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：136.4W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：D2PAK-7

封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

应用

● 电信和服务器电源

● 工业电源

● 功率因数校正模块

● 电机驱动器

● 感应加热

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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  答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。