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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:STL33N60DM2

商品名称:STL33N60DM2

数据手册:STL33N60DM2.pdf

品牌:ST

年份:23+

封装:8-PowerVDFN

货期:全新原装

库存数量:1500

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公司名称:

技术参数

制造商
ST
型号
STL33N60DM2
封装
8-PowerVDFN
描述
表面贴装型 N 通道 600 V 21A(Tc) 150W(Tc) PowerFlat™(8x8)HV

产品描述

STL33N60DM2一款N沟道600 V、0.115 Ohm典型值、21 A MDmesh DM2功率MOSFET,PowerFLAT 8x8 HV封装。


产品属性

FET 类型: N 通道  

技术: MOSFET(金属氧化物)  

漏源电压(Vdss): 600 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Tc)  

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 140 毫欧 @ 10.5A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 43 nC @ 10 V  

Vgs(最大值): ±25V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1870 pF @ 100 V   

功率耗散(最大值): 150W(Tc)  

工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)  

安装类型: 表面贴装型  

供应商器件封装: PowerFlat™(8x8)HV  

封装/外壳: 8-PowerVDFN


应用

交换应用

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型号

品牌

封装

数量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

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    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

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