STW3N150是意法半导体的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于MDmesh™系列，适用于高电压、大功率应用。该器件采用Si半导体材料，具有1500V漏源电压（Vdss）和2.5A连续漏极电流（Id），适用于电源管理、工业控制和电机驱动等领域。
核心参数
产品型号：STW3N150
漏源电压（Vdss）：1500V
连续漏极电流（Id）：2.5A（Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：9Ω @ 1.3A, 10V
栅极阈值电压（VGS(th)）： 3~5V
最大功率耗散（PD）：140W（Tc）
输入电容（Ciss）：939pF @ 25V
栅极电荷（Qg）：29.3nC @ 10V
工作温度范围：-50°C ~ +150°C
封装：TO-247-3
关键特性
高耐压：1500V漏源电压，适用于高压电源转换和逆变器应用。
低导通电阻：9Ω @ 1.3A，减少功率损耗，提高效率。
快速开关：输入电容939pF，栅极电荷29.3nC，优化高频开关性能。
高可靠性：符合RoHS标准，适用于工业级和汽车级应用。
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