商品名称:32位微控制器 - MCU
数据手册:STM32F411CEY6TR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:WLCSP-49
货期:全新原装
库存数量:2500 件
STM32F411CEY6TR器件基于高性能的 Arm® Cortex® -M4 32 位 RISC 内核,工作频率高达 100 MHz。Cortex®-M4 内核具有单精度浮点运算单元 (FPU),支持所有 Arm 单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了全套 DSP 指令和内存保护单元 (MPU),从而提高了应用的安全性。
产品属性
核心处理器: ARM® Cortex®-M4
内核规格: 32 位单核
速度: 100MHz
连接能力: I²C,IrDA,LINbus,MMC/SD/SDIO,SPI,UART/USART,USB OTG
外设: 欠压检测/复位,DMA,I²S,POR,PWM,WDT
I/O 数: 36
程序存储容量: 512KB(512K x 8)
程序存储器类型: 闪存
RAM 大小: 128K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): 1.7V ~ 3.6V
数据转换器:A/D 10x12b
振荡器类型: 内部
工作温度: -40°C ~ 85°C(TA)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 49-UFBGA,WLCSP
供应商器件封装: 49-WLCSP(3x3.19)
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore™ TC17xx 微控制器 IC 32 位单核 240MHz 4MB(4M x 8) 闪存 PG-LFBGA-292-6
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意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%;营业…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT,因其低损耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特别适合需要高性能和高效率的逆变器系统。其技术规格和应用场景如下:技术规格IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电极 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速沟槽栅场截止HB系列IGBT。该产品采用先进的专有沟槽栅场截止结构,旨在优化导通和开关损耗的平衡,从而提高任何频率转换器的效率。其技术规格和典型应用如下:技术规格IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):650 V电…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一种IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于H系列,具有1200V的耐压和40A的电流处理能力。该器件采用先进的沟槽栅场截止结构,具有高效能、快速开关和低导通损耗的特点。其技术规格如下:IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速沟槽栅场截止V系列IGBT,采用TO-247-3封装,适用于需要高速开关和高效率的应用场景。其技术规格和应用场景如下:技术规格IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值):600 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A电流 - 集电极脉冲 …STGW10M65DF2
STGW10M65DF2器件是一款IGBT,采用先进的专有沟槽栅极场截止结构开发而成。该器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆变器系统性能和效率之间的最佳平衡,其中低损耗和短路功能至关重要。此外,正VCE(sat)温度系数和紧密的参数分布使并联操作更加安全。其技术规格和应用如下:…STGW30NC120HD
STGW30NC120HD器件是一款N沟道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 晶体管。其技术规格和应用如下:技术规格电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,20A功率 - 最大值:220 W开关能量:1.66…电话咨询:86-755-83294757
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