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NTMFD5C674NLT1G 是 60V 双 N 沟道工业功率 MOSFET 晶体管，采用 5x6 mm 扁平引线封装，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。

产品属性

技术 MOSFET（金属氧化物）  

配置 2 N 沟道（双通道）  

漏极至源极电压 (Vdss) 60V  

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A（Ta），42A（Tc）  

Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V  

Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 25µA  

栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 10nC @ 10V  

输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 640pF @ 25V  

功率 - 最大 3W（Ta），37W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)  

安装类型 表面贴装  

封装/外壳 8-PowerTDFN  

供应商器件封装 8-DFN (5x6) 双旗 (SO8FL-Dual)

应用

电机控制

同步直流至直流稳压器

电源开关（高压侧驱动器、低压侧驱动器、H 桥等）

电池管理和保护

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