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NCD57255DR2G是高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET栅极驱动器，具有从输入到每个输出的 2.5 或 5 kVrms* 内部电隔离，以及两个输出之间的功能隔离。该器件在输入端可接受 3.3 V 至 20 V 偏置电压和信号电平，在输出端可接受高达 3.3 V 至 20 V 偏置电压和信号电平，输出端接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并提供独立引脚用于禁用和死区时间控制引脚，方便系统设计。

产品属性

技术：容性耦合

通道数：2

电压 - 隔离：2500Vrms

共模瞬变抗扰度（最小值）：100kV/µs

传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：80ns，80ns

脉宽失真（最大）：20ns

上升/下降时间（典型值）：12ns，10ns

电流 - 输出高、低：3.5A，3.5A

电流 - 峰值输出：3.5A，6.5A

电压 - 输出供电：32V

工作温度：-40°C ~ 125°C

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：16-SOIC

认证机构：VDE

应用

● 电动汽车充电器

● 电机控制

● 不间断电源 (UPS)

● 工业电源

● 太阳能逆变器

● 汽车应用

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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