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MASTERGAN4TR半桥高压驱动器采用高功率密度电源，在半桥配置中集成栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成式功率分流器具有150mΩ RDS(ON)和650V漏源击穿电压。集成式自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。驱动器在下、上驱动部分均提供UVLO保护。该保护功能可防止电源开关在低效率或危险条件下工作，联锁功能可避免交叉传导情况。输入引脚具有扩展电压范围，因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。

产品属性

输出配置：半桥

应用：通用

接口：逻辑

负载类型：容性和阻性

技术：DMOS

导通电阻（典型值）：225 毫欧 LS，225 毫欧 HS

电流 - 输出/通道：4A，6.5A

电流 - 峰值输出：7A，16A

电压 - 供电：4.75V ~ 9.5V

电压 - 负载：600V（最大）

工作温度；-40°C ~ 125°C（TJ）

特性：自举电路

故障保护：超温，UVLO

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：31-VQFN 裸露焊盘

供应商器件封装：31-QFN（9x9）

应用

● 开关模式电源

● 高压PFC、直流-直流和直流-交流转换器

● 充电器和适配器

● 不间断电源 (UPS) 系统

● 太阳能发电

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