RHRPM4424LK02V是一款灵活的高频双低压侧驱动器，专门设计用于在航空航天等高辐射环境中与高电容 MOSFET 和 IGBT 配合使用。输出端可灌入和灌出 4.5 A 峰值电流。通过并联两个 PWM输出并联，可获得更大的驱动电流（峰值可达 9 A）。使用 CMOS/TTL 兼容型 PWM 信号，因此可由外部 PWM 控制器（如 STM）驱动。FLAT-16 版本符合行业标准引脚布局，每通道耗散功率可达 550 mW。
功能特点
● 宽工作电压范围： 4.65 V 至 18 V
● 并联驱动能力高达 9 A
● 非反相配置
● 兼容输入 5 V 逻辑电平
● 110 ns 典型传播延迟
● 两个通道之间的匹配传播延迟（最大 5 ns）
● 20 mV 最大低电平输出电压
● 30 ns 上升和下降时间
● 信号地和电源地之间的 +/-5 V 共模跳变
应用
● 开关模式电源
● 直流-直流转换器
● 电机控制器
● 线路驱动器
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意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…
STGB30M65DF2
STGB30M65DF2 是一款N沟道IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用TO-263-3（D2PAK）封装，适用于高功率开关应用，如电机驱动、电源转换和工业控制系统。
STW48NM60N
STW48NM60N是一款N沟道功率MOSFET，采用第二代MDmesh™ II技术，具有600V高耐压和44A连续漏极电流能力，适用于高效率电源转换、电机驱动及工业应用。
STGB10NB37LZT4
STGB10NB37LZT4是一款N沟道IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用D2PAK（TO-263-3）封装，适用于高功率开关应用，如电机驱动、电源转换和工业控制系统。
L99MH98
L99MH98是一款集成八路半桥预驱动器，专用于控制多达16个N沟道MOSFET，适用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制等。L99MH98器件采用24位串行外设接口 (SPI)，可独立配置和控制八个半桥或四个H桥。SPI状态寄存器提供高级诊断信息，包括电源电压监控、电荷泵电压监控、…
PWD5T60TR
PWD5T60TR是一款三相高密度功率驱动器，集成了栅极驱动器和六个N沟道功率MOSFET。PWD5T60TR是风扇、泵和小型家电等电机驱动应用的优质解决方案。集成功率MOSFET具有1.38 Ω的RDS(on) 和500 V阻断电压。该器件的高度集成设计能够高效驱动负载，并显著减小封装尺寸，使PWD5…
STBR3012L2Y
STBR3012L2Y是（STMicroelectronics）推出的一款汽车用高压整流器，采用 HU3PAK 封装，专为需要长期可靠性的重型应用设计，例如汽车应用。以下是其核心参数：技术：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1600 V电流 - 平均整流 (Io)：30A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.3 …电话咨询：86-755-83294757
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