NV6127 是流行的 NV6117 650 V GaNFast™ 电源 IC 的热增强版本,针对高频和软开关拓扑进行了优化。 FET、驱动器和逻辑的单片集成创建了一个易于使用的“数字输入、电源输出”高性能动力系统构建块,使设计人员能够创建世界上最快、最小、最高效的集成动力系统。最高的 dV/dt 抗扰度、高速集成驱动器和行业标准的薄型、低电感、6 x 8 mm SMT QFN 封装使设计人员能够利用 Navitas GaN 技术以简单、快速、可靠的解决方案实现突破性功率密度和效率.
Navitas 的 GaNFast™ 电源 IC 将反激式、半桥式、谐振式等传统拓扑的功能扩展到 MHz+,并实现了突破性设计的商业引入。
特征
GaNFast™ 电源 IC
• NV6117 的热增强版本
• 大冷却垫
• 使用 CS 电阻时增强散热
• 单片集成栅极驱动器
• 宽 VCC 范围(10 至 30 V)
• 可编程开启 dV/dt
• 200 V/ns dV/dt 抗扰度
• 800 V 瞬态电压额定值
• 650 V 连续额定电压
• 低 125 mΩ 电阻
• 零反向恢复电荷
• ESD 保护 – 1 kV (HBM)、1 kV (CDM)
• 2 MHz 操作
小型、薄型 SMT QFN
• 6 x 8 mm 占用空间,0.85 mm 轮廓
• 最小化封装电感
可持续性
• RoHS、无铅、符合 REACH 标准
• 与硅解决方案相比,节能高达 40%
• 系统级 4kg CO2 碳足迹减少
拓扑/应用
• AC-DC、DC-DC、DC-AC
• QR 反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D 类
• 无线电源、太阳能微型逆变器、LED 照明、TV SMPS、服务器、电信
型号
品牌
封装
数量
描述
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NV6158 GaNFast™ 功率集成电路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成栅极驱动,可实现前所未有的高频和高效率运行。功能特点单片集成栅极驱动宽 VCC 范围(10 至 30 V)可编程导通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗扰度800 V 额定瞬态电压700 V 额定连续电压120 mΩ 低电阻零反向恢复…电话咨询:86-755-83294757
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